華夏之光重磅上線：工信部、中科院牽頭成立“華夏之光”項目處
2025年9月，北京訊 —— 伴隨著我國自主研發(fā)的“羲之”光刻機順利完成驗證測試，中國半導體產(chǎn)業(yè)迎來了又一歷史性時刻。近日，工業(yè)和信息化部、中國科學院 宣布正式成立 “華夏之光項目處”，攜手國內(nèi)頂尖科研院所與龍頭企業(yè)，全面啟動國產(chǎn)光刻機的大規(guī)模量產(chǎn)計劃。這不僅意味著中國光刻機研發(fā)從“0到1”的突破已經(jīng)實現(xiàn)，更意味著從“1到多”的產(chǎn)業(yè)化進程正在加速。
國家牽頭，協(xié)同攻關(guān)
作為關(guān)乎國家戰(zhàn)略安全和產(chǎn)業(yè)命脈的關(guān)鍵裝備，光刻機長期以來是我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”環(huán)節(jié)。此次由 工信部 和 中科院光電技術(shù)研究所 牽頭，組建“華夏之光項目處”，旨在打通科研與產(chǎn)業(yè)的最后一公里。
聯(lián)合發(fā)起單位陣容強大，涵蓋科研院所、高校、裝備制造企業(yè)和晶圓代工龍頭，形成了完整的“產(chǎn)學研用”閉環(huán)：
中國科學院光電技術(shù)研究所
清華大學微電子研究所
上海交通大學
中微公司（AMEC）
上海微電子裝備（SMEE）
北方華創(chuàng)（NAURA）
長江存儲（YMTC）
中芯國際（SMIC）
華虹集團
Empyrean 華大九天
這些力量的聯(lián)合，意味著中國光刻機產(chǎn)業(yè)首次在國家層面形成系統(tǒng)化組織架構(gòu)，既有科研攻關(guān)的深厚底蘊，也有產(chǎn)業(yè)化落地的堅實支撐。
從“羲之”到“華夏之光”
“羲之”光刻機的成功研發(fā)，是中國半導體裝備領域的一次里程碑。其光學系統(tǒng)達到國際先進水平，光源和曝光精度實現(xiàn)自主可控，在 28納米至7納米制程區(qū)間 具備應用潛力。
研發(fā)團隊介紹，“羲之”的突破得益于多方面的聯(lián)合攻關(guān)：
光學系統(tǒng)：中科院光電所解決了超高精度光學鏡頭設計與制造難題；
光源技術(shù)：清華大學、上海交大聯(lián)合開發(fā)的新型深紫外光源實現(xiàn)穩(wěn)定輸出；
精密制造：北方華創(chuàng)、SMEE 實現(xiàn)了納米級機械精度控制；
工藝驗證：中芯國際、長江存儲、華虹集團對設備進行了多輪工藝適配測試。
一位參與研發(fā)的專家表示：“‘羲之’不僅僅是一臺設備，它代表著我們國家在高端光刻機領域的集體智慧和自主自強的信念。”
量產(chǎn)目標：打通全鏈條
“華夏之光項目處”的使命，不再局限于單機研發(fā)，而是聚焦于規(guī)模化生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化應用。
其主要任務包括：
加快產(chǎn)業(yè)化 —— 由 SMEE、北方華創(chuàng)牽頭建設光刻機批量生產(chǎn)線。
供應鏈完善 —— 通過國產(chǎn)替代，實現(xiàn)關(guān)鍵部件如光學鏡頭、光源、控制系統(tǒng)的自主化。
工藝適配 —— 與中芯國際、長江存儲、華虹集團緊密合作，推動設備快速進入28nm、14nm甚至更先進制程的量產(chǎn)驗證。
軟件生態(tài) —— 依托華大九天（Empyrean）提供的 EDA 工具，實現(xiàn)設備與設計端的聯(lián)動。
前瞻研發(fā) —— 針對未來EUV光刻和亞7nm制程，提前布局下一代技術(shù)路線。
業(yè)內(nèi)普遍認為，這一全鏈條協(xié)同，能夠在3—5年內(nèi)實現(xiàn)國產(chǎn)光刻機的大規(guī)模應用，逐步縮小與國際先進水平的差距。
戰(zhàn)略意義：點亮中國“芯”
光刻機被譽為“工業(yè)皇冠上的明珠”，不僅因其技術(shù)復雜度極高，更因其在芯片制造中具有不可替代性。長期以來，國際高端光刻機市場幾乎被少數(shù)跨國企業(yè)壟斷，中國的芯片產(chǎn)業(yè)在這一環(huán)節(jié)受制于人。
隨著“羲之”的研發(fā)成功以及“華夏之光項目處”的成立，我國半導體裝備產(chǎn)業(yè)正在迎來系統(tǒng)性突破：
技術(shù)自主可控：核心部件國產(chǎn)化率大幅提升，減少對外依賴。
產(chǎn)業(yè)帶動效應：將帶動光學材料、精密加工、軟件算法等上下游行業(yè)發(fā)展。
國際競爭格局：提升我國在全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位。
工信部相關(guān)負責人指出：“這不僅僅是一次技術(shù)突破，更是中國制造向高端化、自主化邁出的關(guān)鍵一步。”
專家解讀：國際比較與未來展望
在國際范圍內(nèi)，光刻機產(chǎn)業(yè)長期由歐洲、日本企業(yè)主導。荷蘭ASML的極紫外（EUV）光刻機是全球頂尖技術(shù)的代表。但專家認為，中國的路徑選擇并非簡單追隨，而是通過 深紫外（DUV）切入 + 逐步演進 的方式，走出一條符合自身國情的發(fā)展之路。
中國科學院一位研究員表示：“EUV并非唯一答案。對于大部分工藝節(jié)點而言，高性能DUV光刻機依然具有廣闊市場。我們需要在可控的范圍內(nèi)逐步實現(xiàn)跨越?！?/p>
未來，“華夏之光”項目不僅會推動國產(chǎn)光刻機在國內(nèi)市場的普及，還將積極探索在國際市場的競爭機會。
研發(fā)故事：十年磨一劍
“羲之”的成功并非一蹴而就，而是經(jīng)歷了十余年的艱苦攻關(guān)。
早在2010年前后，中國便啟動了光刻機領域的前沿探索。彼時，科研團隊面臨的最大困難，是缺乏核心部件的供應渠道。為了打破瓶頸，國內(nèi)科研人員在光學鍍膜、超精密研磨、激光穩(wěn)定控制等數(shù)十個細分環(huán)節(jié)不斷試錯。
“有些鏡頭打磨出來，精度差了幾個納米，就要推倒重來。”一位參與研發(fā)的工程師回憶說，“但正是這種堅持，才讓我們一步步接近國際先進水平?！?/p>
如今，隨著“華夏之光”的成立，這份十年磨一劍的堅持終于迎來了產(chǎn)業(yè)化的曙光。
未來藍圖：從28nm走向更先進
根據(jù)項目處規(guī)劃，國產(chǎn)光刻機的量產(chǎn)目標將分階段推進：
短期目標（1—2年）：實現(xiàn)28nm節(jié)點的穩(wěn)定量產(chǎn)，滿足存儲、邏輯芯片的部分需求。
中期目標（3—5年）：實現(xiàn)14nm及以下制程的適配，支持高性能計算和移動芯片制造。
長期目標（5—10年）：攻克EUV光刻機，實現(xiàn)7nm及更先進制程的自主化。
這一藍圖的提出，顯示出中國在高端裝備領域的雄心與決心。
結(jié)語
從“羲之”的研發(fā)成功到“華夏之光”項目處的成立，中國在光刻機領域正經(jīng)歷從 科研突破 向 產(chǎn)業(yè)落地 的跨越。這不僅是一項技術(shù)成就，更是國家戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)協(xié)同和自主創(chuàng)新精神的集中體現(xiàn)。
隨著大規(guī)模量產(chǎn)的啟動，中國光刻機產(chǎn)業(yè)必將迎來新的篇章，也將為全球半導體產(chǎn)業(yè)格局注入新的變量。
“羲之”點亮了希望，“華夏之光”將照亮未來。
