芯片半導體元器件MOS，SiC上漲，靜電保護器件原廠
芯片半導體元器件MOS，SiC上漲，靜電保護器件原廠
從MOSFET產品來看，中低壓小信號MOSFET價格自21Q4下行以來，目前價格已經穩(wěn)定。中高壓MOSFET方面，整體穩(wěn)中有漲。例如，安森美150V的溝槽型產品價格保持穩(wěn)定，而其500V的超級結產品價格繼續(xù)保持高位。英飛凌的100V車規(guī)產品在5月環(huán)比4月有小幅上漲，顯示車規(guī)需求仍較好。
根據CASAResearch統(tǒng)計的半導體器件經銷商網上平均報價（元/安培）來看，SiC肖特基二極管（SBD）以及SiCMOSFET器件近年來在逐步下降，其中650VSiCSBD報價在2018~2020年的復合降幅達到25%，而650VSiCMOSFET的復合降幅為32%。由于SiC器件價格的下降，其與硅基器件的價差也在逐漸縮小。
而AMD說2022年PC市場放緩，但高性能和云計算電腦強勁，比如云計算、數據中心芯片和人工智能芯片需求增長。芯片運轉核心在半導體靜電保護器件，比如將來的USB4接口，將統(tǒng)一接口，一根線解決所有問題，變身充電設備，大屏互聯，連接任意其他設備交換數據，USB 4速度是USB3.0的8倍，傳輸快，小體積。深圳晶揚電子專注USB接口靜電防護器件的原廠。
深圳晶場電子針對USB4 ESD/EOS優(yōu)勢亮點
與傳統(tǒng)的USB一樣，USB4端口也是即插即用。在熱插拔中及平時接觸過程中，都存在靜電浪涌的風險
由于其接口體積更加小巧，內部元器件集中化程度更高，受到靜電浪涌危害的可能性會更大。因此在電路設計中需添加合適的防護器件
對于USB4高速接口，選擇ESD/EOS保護組件時需考慮以下幾點：
1、為了確保通過USB4傳遞高速信號完整性，選擇該器件時需使用具有較低電容的ESD保護組件
2、具有較高的ESD耐電壓能力，至少要承受IEC 61000-4-2中規(guī)定的8kV接觸放電的ESD沖擊
3、ESD鉗位電壓是比較重要參數。較低的鉗位電壓表示更好的保護性能。
為滿足以上要求，深圳晶揚電子針對 USB4 ESD/EOS 推出靜電保護器件其產品為TT0321SA TT0201SA
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