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芯片半導體元器件MOS,SiC上漲,靜電保護器件原廠

2022-06-10 19:03   來源: 互聯網    閱讀次數:4532
晶揚電子 

芯片半導體元器件MOS,SiC上漲,靜電保護器件原廠 

從MOSFET產品來看,中低壓小信號MOSFET價格自21Q4下行以來,目前價格已經穩(wěn)定。中高壓MOSFET方面,整體穩(wěn)中有漲。例如,安森美150V的溝槽型產品價格保持穩(wěn)定,而其500V的超級結產品價格繼續(xù)保持高位。英飛凌的100V車規(guī)產品在5月環(huán)比4月有小幅上漲,顯示車規(guī)需求仍較好。

 

根據CASAResearch統(tǒng)計的半導體器件經銷商網上平均報價(元/安培)來看,SiC肖特基二極管(SBD)以及SiCMOSFET器件近年來在逐步下降,其中650VSiCSBD報價在2018~2020年的復合降幅達到25%,而650VSiCMOSFET的復合降幅為32%。由于SiC器件價格的下降,其與硅基器件的價差也在逐漸縮小。


而AMD說2022年PC市場放緩,但高性能和云計算電腦強勁,比如云計算、數據中心芯片和人工智能芯片需求增長。芯片運轉核心在半導體靜電保護器件,比如將來的USB4接口,將統(tǒng)一接口,一根線解決所有問題,變身充電設備,大屏互聯,連接任意其他設備交換數據,USB 4速度是USB3.0的8倍,傳輸快,小體積。深圳晶揚電子專注USB接口靜電防護器件的原廠。



 

深圳晶場電子針對USB4 ESD/EOS優(yōu)勢亮點

 

與傳統(tǒng)的USB一樣,USB4端口也是即插即用。在熱插拔中及平時接觸過程中,都存在靜電浪涌的風險

 

由于其接口體積更加小巧,內部元器件集中化程度更高,受到靜電浪涌危害的可能性會更大。因此在電路設計中需添加合適的防護器件

 

對于USB4高速接口,選擇ESD/EOS保護組件時需考慮以下幾點:

 

1、為了確保通過USB4傳遞高速信號完整性,選擇該器件時需使用具有較低電容的ESD保護組件

 

2、具有較高的ESD耐電壓能力,至少要承受IEC 61000-4-2中規(guī)定的8kV接觸放電的ESD沖擊

 

3、ESD鉗位電壓是比較重要參數。較低的鉗位電壓表示更好的保護性能。

 

為滿足以上要求,深圳晶揚電子針對 USB4 ESD/EOS 推出靜電保護器件其產品TT0321SA  TT0201SA





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責任編輯:xiaoxiwang
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