臺達電進軍第三代半導體，dc-dc降壓芯片應(yīng)用科大訊飛翻譯筆
臺達電6月23日宣布斥資3.2億元成立碇基半導體籌備處，鎖定最夯的第三代半導體，從設(shè)計端切入，未來不排除再引進合作伙伴加入，壯大實力。
第三代半導體具高效率、低能耗、散熱快等特性，是5G、低軌衛(wèi)星、高速運算、電動車等當紅應(yīng)用必備的零組件，吸引眾多大咖加入，不僅臺積電、聯(lián)電、世界、漢磊、嘉晶等島內(nèi)知名半導體制造廠都投入，硅晶圓三哥環(huán)球晶也未缺席，IC設(shè)計業(yè)者也逐步導入第三代半導體材料發(fā)展快充等應(yīng)用芯片。
臺達電發(fā)言人、永續(xù)長周志宏表示，臺達電內(nèi)部已有團隊研究第三代半導體多年，也有很多相關(guān)產(chǎn)品，尤其臺達電是全球電源供應(yīng)器龍頭，擁有龐大出?？?，過去很多量能都在終端應(yīng)用，這次藉由成立碇基半導體，希望進一步掌握上游設(shè)計端研發(fā)，透過與終端客戶緊密合作，了解使用情境，掌握第三代半導體發(fā)展趨勢。
據(jù)了解，碇基半導體初期鎖定600伏電源供應(yīng)器等產(chǎn)品，外界看好，隨著5G通訊、電動車、高效率電源等新興應(yīng)用對功率元件效能需求提高，由于氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）在耐高溫、高電流環(huán)境下仍有極佳效能，加上全球開始重視碳排問題，高能效、低能耗的氮化鎵及碳化硅成為第三代半導體的新世代商機。
隨著國產(chǎn)品牌的興起，長江存儲正在建新工廠，安裝設(shè)備擴產(chǎn)。長江存儲新工廠最初將主要生產(chǎn)128層閃存，如果2023年和2024年開發(fā)進展順利，可能會轉(zhuǎn)向更尖端的芯片，如196層或232層3D NAND閃存。看來國產(chǎn)芯片一直在超越的路上。
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