臺(tái)積電2nm研究重大突破，有希望2023年下半年投入生產(chǎn)
近年來，臺(tái)積電能夠在先進(jìn)工藝和技術(shù)的道路上揚(yáng)起塵土，擊敗許多承包工廠，其價(jià)值也在上升。
臺(tái)積電已于今年第一季度大規(guī)模投入生產(chǎn)，3nm 也在迅速發(fā)展。臺(tái)積電表示，將在 2021 年開始批量生產(chǎn) 3 納米，最終在 2022 年下半年開始批量生產(chǎn)。
另據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電去年成立了一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以確定 2NM 工藝的研發(fā)路線，預(yù)計(jì)臺(tái)積電的 2NM 工藝可能在 2024 年大規(guī)模投產(chǎn)。
此前，一些消息人士表示，臺(tái)積電目前對(duì) 2023 年下半年 2NM 工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)和 2024 年大規(guī)模生產(chǎn)非常樂觀。風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的好產(chǎn)品率預(yù)計(jì)不會(huì)低于 90%，但目前尚不清楚疫情是否會(huì)對(duì)他們的計(jì)劃產(chǎn)生影響。
然而，根據(jù)最新的報(bào)告，臺(tái)積電在 2NM 流程上取得了重大的內(nèi)部突破，盡管細(xì)節(jié)尚未披露，但樂觀的是，2NM 工藝有望在 2023 年下半年進(jìn)行一次高風(fēng)險(xiǎn)的試產(chǎn)，并在 2024 年進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。
臺(tái)積電還表示，2NM 的突破將再次擴(kuò)大與競爭對(duì)手的差距，同時(shí)繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律，繼續(xù)推進(jìn) 1nm 工藝的研究和開發(fā)。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)蘋果、高通、NVIDIA、AMD 和其他客戶將率先采用其 2 NM 流程。
在技術(shù)方面，臺(tái)積電將放棄已存在多年的 FinFET(鰭狀場效應(yīng)晶體管），并將其擴(kuò)展到多橋溝道場效應(yīng)晶體管（MBCFET)，即納米芯片（納米片）。這種技術(shù)可以大大改善電路控制，降低泄漏率。
然而，作為競爭對(duì)手，三星并沒有坐以待斃。事實(shí)上，自 2019 年以來，三星推出了一項(xiàng) "半導(dǎo)體 2030 計(jì)劃"，希望到 2030 年投資 133 萬億韓元（約合 1 160 億美元），將自己發(fā)展成為世界上最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)的邏輯技術(shù)是關(guān)鍵之一，目標(biāo)是趕上中芯國際（SMIC)。
根據(jù)最新消息，三星半導(dǎo)體高管幾天前透露，三星計(jì)劃在 2022 年大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 工藝，臺(tái)積電計(jì)劃在 2022 年下半年批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這樣，三星和臺(tái)積電的先進(jìn)工藝將再次站在同一條起跑線上。
