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SK keyfoundry攜手LB Semicon聯(lián)合開發(fā)Direct RDL,推動(dòng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)升級,強(qiáng)化汽車高性能芯片競爭力

2025-07-16 13:25   來源: 旅游生活報(bào)    閱讀次數(shù):2833

韓國首爾 2025年7月15日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布,該公司已攜手LB Semicon成功聯(lián)合開發(fā)基于8英寸晶圓的關(guān)鍵封裝技術(shù)Direct RDL(重布線層),并完成了可靠性測試。此舉標(biāo)志著新一代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的重要突破,也大大增強(qiáng)了汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品的競爭力。


RDL指的是構(gòu)建于半導(dǎo)體芯片表面的金屬布線與絕緣層,用于實(shí)現(xiàn)芯片與基板之間的電連接。該技術(shù)主要應(yīng)用于WLP(晶圓級封裝)和FOWLP(扇出型晶圓級封裝)流程,有助于增強(qiáng)芯片與基板的互聯(lián)性并降低信號干擾。此次由SK keyfoundry與LB Semicon聯(lián)合開發(fā)的Direct RDL技術(shù),支持高電流容量的功率半導(dǎo)體,性能超越同類技術(shù)。該工藝可實(shí)現(xiàn)金屬布線厚度高達(dá)15微米、布線密度覆蓋芯片面積的70%,不僅適用于移動(dòng)和工業(yè)領(lǐng)域,更適合汽車應(yīng)用。尤其值得關(guān)注的是,該技術(shù)滿足國際汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q100中的Auto Grade 1等級要求,確保芯片在–40℃至+125℃的嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,是目前少數(shù)完全適用于汽車產(chǎn)品的解決方案之一。此外,SK keyfoundry還提供了設(shè)計(jì)指南(Design Guide)與工藝開發(fā)工具包(PDK),可為客戶提供量身定制的工藝解決方案,助力實(shí)現(xiàn)更小芯片尺寸、更低功耗與更具成本效益的封裝。

作為半導(dǎo)體封裝與測試專業(yè)企業(yè),LB Semicon表示,借助SK keyfoundry對半導(dǎo)體工藝的深度理解與先進(jìn)制造能力,大幅縮短了開發(fā)周期。通過將自身后段制程技術(shù)與SK keyfoundry的前段代工技術(shù)整合,雙方成功實(shí)現(xiàn)了晶圓級Direct RDL的最優(yōu)化結(jié)構(gòu),預(yù)計(jì)將顯著提升生產(chǎn)效率。

LB Semicon首席執(zhí)行官Namseog Kim表示:"此次Direct RDL的聯(lián)合開發(fā)是強(qiáng)化SK keyfoundry與LB Semicon技術(shù)競爭力的重要里程碑。未來我們將繼續(xù)深化合作,共同在高可靠性基礎(chǔ)上,扎根下一代半導(dǎo)體封裝市場。"

SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示:"本次與封裝專家LB Semicon的協(xié)作,不僅驗(yàn)證了我們在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的先進(jìn)綜合能力,也標(biāo)志著我們成功將其融入尖端封裝工藝。SK keyfoundry將繼續(xù)攜手LB Semicon,不斷深化合作,致力于成為全球領(lǐng)先、具備高性能與高可靠性能力的優(yōu)質(zhì)代工企業(yè)。"


責(zé)任編輯:小美
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